IPB031N08N5ATMA1
Infineon(英飞凌)
特性：适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷 × 导通电阻乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅镀层；符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
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Официальный сайтInfineon(英飞凌)
特性：适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷 × 导通电阻乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅镀层；符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
Infineon(英飞凌)
N-Channel enhancement-mode power MOSFET, 55V, 49A, 17.5mΩ R_DS(on), TO-220 package.