Спецификация
Предпросмотр спецификации серии
Предпросмотр
IPB031N08N5ATMA1
Infineon IPB031N08N5ATMA1 — это 80 V N-канальный OptiMOS 5 силовой MOSFET в корпусе для поверхностного монтажа D2PAK / PG-TO263-3, с максимальным RDS(on) 3.1 mΩ при VGS = 10 V.
Жизненный цикл отражает статус изделия, а не наличие на складе.
Описание продукта
IPB031N08N5ATMA1 — это промышленный N-канальный силовой MOSFET от Infineon OptiMOS 5 для эффективной коммутации мощности. Прибор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 80 V и максимальный непрерывный ток стока 120 A при 25°C. Его максимальное сопротивление в открытом состоянии составляет 3.1 mΩ при VGS = 10 V, а типичный суммарный заряд затвора — 69 nC. Он поставляется в корпусе для поверхностного монтажа PG-TO263-3 / D2PAK и имеет заданный диапазон рабочих температур от -55°C до +175°C. Текущая цена, наличие, минимальный заказ, код даты, состояние упаковки и срок поставки должны быть подтверждены при запросе котировки.
Ключевые параметры
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Серия | OptiMOS 5 |
| Корпус | D2PAK (TO-263), PG-TO263-3 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Рабочая температура | -55°C ~ +175°C |
| Тип транзистора | Силовой MOSFET с N-каналом |
| Сопротивление в открытом состоянии | 3.1 max @ VGS = 10 V mΩ |
| Непрерывный ток стока | 120 max @ 25°C A |