IPB031N08N5ATMA1
Infineon Technologies
Infineon IPB031N08N5ATMA1 is an 80 V N-channel OptiMOS 5 power MOSFET in a surface-mount D2PAK package, featuring a maximum RDS(on) of 3.1 mΩ at VGS = 10 V.
Beklemede
Güç kontrolü, sinyal anahtarlama ve endüstriyel uygulamalar için transistör, diyot, MOSFET ve diğer ayrık yarı iletkenler.
1–1 / 1 ürün · Yarı İletkenler
Infineon Technologies
Infineon IPB031N08N5ATMA1 is an 80 V N-channel OptiMOS 5 power MOSFET in a surface-mount D2PAK package, featuring a maximum RDS(on) of 3.1 mΩ at VGS = 10 V.