Teknik Doküman
Seri Teknik Dokümanı Önizlemesi
Önizle
IPB031N08N5ATMA1
Infineon IPB031N08N5ATMA1 bir 80 V N-kanal OptiMOS 5 güç MOSFET'idir D2PAK / PG-TO263-3 yüzey montaj paketinde, maksimum RDS(on) değeri 3.1 mΩ değerinde VGS = 10 V.
Ürün Özeti
IPB031N08N5ATMA1 bir Infineon OptiMOS 5 endüstriyel N-kanal güç MOSFET'idir ve verimli güç anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. Cihaz, maksimum drain-source voltajı 80 V ve maksimum sürekli drain akımı 120 A değerinde 25°Colarak derecelendirilmiştir. Maksimum iletim durumu direnci 3.1 mΩ değerinde VGS = 10 Viken, tipik toplam kapı yükü 69 nCdir. PG-TO263-3 / D2PAK yüzeye montaj paketi ve belirtilen çalışma sıcaklığı aralığı -55°C ile +175°C. Güncel fiyat, stok durumu, minimum sipariş adedi, tarih kodu, paketleme durumu ve teslim süresi, RFQ sırasında doğrulanmalıdır.
Temel Teknik Özellikler
| Özellik | Değer |
|---|---|
| Seri | OptiMOS 5 |
| Paket / Kasa | D2PAK (TO-263), PG-TO263-3 |
| Montaj Tipi | Yüzey Montaj |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ +175°C |
| Transistör Tipi | N Kanallı Güç MOSFET |
| Rds On | 3.1 max @ VGS = 10 V mΩ |
| Sürekli Drain Akımı | 120 max @ 25°C A |
| Drain Kaynak Gerilimi |