MOSFET, диоды, транзисторы Не нашли нужную позицию? Отправьте RFQ →
WATECH
Предварительная инженерная справка для интегрированного асимметричного усилителя мощности Догерти на LDMOS-транзисторах для диапазона 3.7–4.2 GHz, предназначенного для оценки в базовых станциях сотовой связи и радиочастотной инфраструктуре.
WATECH
3.7–4.2 GHz интегрированный асимметричный усилитель мощности Догерти на LDMOS для базовых станций сотовой связи и приложений радиочастотной инфраструктуры.
Infineon Technologies
IKW30N60H3FKSA1 — это 600 V IGBT TRENCHSTOP™ от Infineon со встроенным антипараллельным обратным диодом, оптимизированный для высокоскоростных применений жесткого переключения в корпусе TO-247.
Infineon Technologies
Infineon IPB031N08N5ATMA1 — это 80 V N-канальный OptiMOS 5 силовой MOSFET в корпусе для поверхностного монтажа D2PAK / PG-TO263-3, с максимальным RDS(on) 3.1 mΩ при VGS = 10 V.
Infineon Technologies
IRFB4127PBF — это высокопроизводительный N-канальный силовой MOSFET, предназначенный для применений с переключением больших токов, включая приводы двигателей, преобразователи мощности и промышленные электронные системы.
STMicroelectronics
VNQ5027AK-E — это автомобильный четырехканальный драйвер верхнего плеча от STMicroelectronics с аналоговым измерением тока, функциями защиты и низким сопротивлением во включенном состоянии для резистивных и индуктивных нагрузок.