BOM 风险提示
锁定订单前，请确认生命周期状态、需求数量、目的地国家以及可接受的替代料范围。
半导体
2N2222A
NPN silicon general-purpose amplifier and switching transistor, 40V, 800mA, TO-92 package.
应用领域与产品特性
主要特性
- 封装: TO-92
- 包装: 暂不适用
- RoHS: 符合
典型应用
- 信号调理与高精度模拟前端
- 半导体 相关的设计场景
产品概述
The 2N2222A is an NPN silicon planar epitaxial transistor designed 用于 general-purpose switching and amplification应用。 Available in the classic TO-92 through-hole package. Key 特性： - Collector-emitter voltage: 40V - Collector current: 800mA continuous - DC current gain (hFE): 100–300 at 150mA - 封装： TO-92 through-hole - Transition frequency: 300 MHz - Low saturation voltage - Popular in switching, signal amplification, and logic interfacing circuits
采购说明
本页面可作为采购参考。最终可供货情况、MOQ、交期和合规假设应在下单前通过询价确认。
替代料选择提示
当原型号供应受限时，应比较封装、额定参数、容差、温度范围和合规状态后再批准替代方案。
典型采购场景
适用于 BOM 审核、维修采购、样机补料、生产缺口采购以及替代料筛选。
完整参数表
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 封装/外壳Package / Case | TO-92 |
| 工作温度 | -55 to +150 °C |
| Ft Mhz | 300 |
| Hfe Max | 300 |
| Hfe Min | 100 |
| Ic Ma | 800 |
| Vce Sat V | 0.6 |
| Vceo V | 40 |