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IPB031N08N5ATMA1
英飞凌 IPB031N08N5ATMA1 是一款 80 V N沟道 OptiMOS 5 功率MOSFET，采用 D2PAK / PG-TO263-3 表面贴装封装，在 VGS = 10 V 时最大 RDS(on) 为 3.1 mΩ。
产品摘要
IPB031N08N5ATMA1 是英飞凌 OptiMOS 5 工业级N沟道功率MOSFET，适用于高效功率开关应用。 该器件额定最大漏源电压为 80 V，在 25°C 时最大连续漏极电流为 120 A。其最大导通电阻在 VGS = 10 V 时为 3.1 mΩ，而典型总栅极电荷为 69 nC。 它采用 PG-TO263-3 / D2PAK 表面贴装封装，规定的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C。 当前价格、供货情况、最小起订量、日期代码、包装状况和交货时间必须在询价时确认。
关键参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 系列 | OptiMOS 5 |
| 封装 / 外壳 | D2PAK (TO-263), PG-TO263-3 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 工作温度 | -55°C ~ +175°C |
| 晶体管类型 | N沟道功率MOSFET |
| Rds On | 3.1 max @ VGS = 10 V mΩ |
| 连续漏极电流 | 120 max @ 25°C A |
| 漏源电压 | 80 V |
| 栅极电荷 | 69 typ. @ VGS = 10 V nC |
| 栅极阈值电压 | 2.2 - 3.8 V |