BOM 风险提示
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半导体
IRFZ44N
N 沟道 enhancement-mode power MOSFET, 55V, 49A, 17.5mΩ R_DS(on), TO-220 package.
应用领域与产品特性
主要特性
- 封装: TO-220
- 包装: 暂不适用
- RoHS: 符合
典型应用
- 半导体 相关的设计场景
产品概述
The IRFZ44N is an N 沟道 enhancement-mode power MOSFET in a TO-220 package, optimized 用于 low on-state resistance and fast switching. It is ideal 用于 DC motor drives, inverters, and switched-mode power supplies. Key 特性： - V_DS: 55V, I_D: 49A (continuous) - R_DS(on) max: 17.5mΩ at V_GS = 10V - Gate threshold voltage: 2–4V - 封装： TO-220 through-hole - Low gate charge 用于 fast switching - Avalanche-rated 用于 rugged operation
采购说明
本页面可作为采购参考。最终可供货情况、MOQ、交期和合规假设应在下单前通过询价确认。
替代料选择提示
当原型号供应受限时，应比较封装、额定参数、容差、温度范围和合规状态后再批准替代方案。
典型采购场景
适用于 BOM 审核、维修采购、样机补料、生产缺口采购以及替代料筛选。
完整参数表
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 封装/外壳Package / Case | TO-220 |
| 工作温度 | -55 to +175 °C |
| Ciss Pf | 1470 |
| Gate Charge Nc | 43 |
| Id A | 49 |
| Rds On Mohm | 17.5 |
| Vds V | 55 |
| Vgs Th V | 2–4 |