IPB031N08N5ATMA1
Infineon Technologies
英飞凌 IPB031N08N5ATMA1 是一款 80 V N沟道 OptiMOS 5 功率MOSFET，采用 D2PAK / PG-TO263-3 表面贴装封装，在 VGS = 10 V 时最大 RDS(on) 为 3.1 mΩ。
Rds On:3.1 max @ VGS = 10 V mΩ系列:OptiMOS 5栅极电荷:69 typ. @ VGS = 10 V nC
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英飞凌 IPB031N08N5ATMA1 是一款 80 V N沟道 OptiMOS 5 功率MOSFET，采用 D2PAK / PG-TO263-3 表面贴装封装，在 VGS = 10 V 时最大 RDS(on) 为 3.1 mΩ。